RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2892
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link