RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3938
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link