RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
3260
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link