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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
19
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
3169
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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