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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
48
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
2466
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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