RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
75
Autour de 43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
75
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
1590
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link