RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2855
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link