RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
72
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
72
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link