RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3166
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link