RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2795
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link