RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
81
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
81
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1515
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link