Comparaison de la RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Note globale

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 28

Autour de 11% latence réduite

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.5 16.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.7 10.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 12800

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2764 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns