RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2974
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link