RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3104
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link