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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
23.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
19.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
4276
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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