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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3664
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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