RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2891
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link