RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2464
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link