RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2848
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link