RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
63
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
63
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2162
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link