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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
43
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2960
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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