RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3609
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link