RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3876
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link