RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3434
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link