Comparaison de la RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Note globale

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 18.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,123.3 17.3

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 59

Autour de -127% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 6400

Autour de 3.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

731 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns