RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2408
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link