RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3604
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link