RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
58
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3352
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link