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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3990
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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