RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
69
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
69
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1980
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link