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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3942
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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