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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
46
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
40
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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