RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
46
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
40
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link