RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3277
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link