RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,451.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2190
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link