RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
65
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
3561
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link