RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
94
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
94
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2771
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link