RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
65
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
3482
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link