Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Note globale

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

63 65

Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.1 2,451.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 6400

Autour de 3.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

878 1932

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns