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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
64
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
64
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2194
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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