RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
4164
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link