RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
60
Autour de -58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2267
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link