RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
60
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2091
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link