RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
60
Autour de -43% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
42
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2737
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link