Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Note globale

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 14.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,168.2 10.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 60

Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 5300

Autour de 4.42 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

941 2935

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns