RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
65
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3204
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link