RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
65
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3157
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link