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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
65
Autour de -67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2397
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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