RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3296
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link