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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
56
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
2959
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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