RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2935
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link